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    X2U019200BZ1H-CEHQZ晶振,臺(tái)產(chǎn)加高晶振,6G室外基站晶振

  • 規(guī)格型號(hào)：94169973
  • 頻率：19.2MHz
  • 尺寸：2016mm
  • PDF
  • 產(chǎn)品描述：X2U019200BZ1H-CEHQZ晶振,臺(tái)產(chǎn)加高晶振,6G室外基站晶振，臺(tái)灣HELE晶振公司，加高晶振，SMD晶振，小尺寸晶振，2016晶振，高品質(zhì)晶振，低損耗晶振，高精度晶振，貼片晶振，石英晶體，無(wú)源晶振，四腳晶振，無(wú)人機(jī)晶振，北...


X2U019200BZ1H-CEHQZ晶振,臺(tái)產(chǎn)加高晶振,6G室外基站晶振，臺(tái)灣HELE晶振公司，加高晶振，SMD晶振，小尺寸晶振，2016晶振，高品質(zhì)晶振，低損耗晶振，高精度晶振，貼片晶振，石英晶體，無(wú)源晶振，四腳晶振，無(wú)人機(jī)晶振，北斗衛(wèi)星晶振，電腦主板晶振，智能穿戴設(shè)備晶振，醫(yī)療設(shè)備晶振，特點(diǎn)：微型超薄SMD產(chǎn)品尺寸。高精度、可靠性高，耐熱性好。針對(duì)射頻應(yīng)用、無(wú)線模塊設(shè)備、RFID應(yīng)用和其他基于消費(fèi)者的產(chǎn)品的優(yōu)化解決方案。
X2U019200BZ1H-CEHQZ晶振,臺(tái)產(chǎn)加高晶振,6G室外基站晶振
標(biāo)稱頻率 19.2MHz, 26MHz 38.4MHz 52MHz
工作模式 Fundamental
頻率容差
 
±10ppm , ±15ppm
頻率穩(wěn)定度 -12~+10ppm ±12ppm -12~+10ppm
工作溫度范圍
 
-30~+85 C
負(fù)載電容 7pF, 8pF
驅(qū)動(dòng)電平 10μW (200μW Max.)
等效串聯(lián)電子 80Ω Max. 50Ω Max. 50Ω Max.
儲(chǔ)存溫度
 
-40~+105 C
熱敏電阻 100KΩ
熱敏電阻B常數(shù) 4250K

X2U019200BZ1H-CEHQZ晶振,臺(tái)產(chǎn)加高晶振,6G室外基站晶振


原廠編碼 生產(chǎn)商 型號(hào) 頻率 頻率容差 負(fù)載電容
X2C025000DZ1H-U 加高晶振 HSX211S 25 MHz ±20ppm 6pF
X2C032000BA1H-HZ 加高晶振 HSX211S 32 MHz ±10ppm 10pF
X2C024000DZ1H-HU 加高晶振 HSX211S 24 MHz ±20ppm 6pF
X2C016000B81H-R 加高晶振 HSX211S 16 MHz ±10ppm 8pF
X2C026000BC1H-Z 加高晶振 HSX211S 26 MHz ±10ppm 12pF
X2C048000L71HH-CEHZ 加高晶振 HSX211S 48 MHz ±8ppm 11.1pF
X2U026000B81HBZ-DHPZ 加高晶振 HSX211SR 26 MHz ±10ppm 8pF
X2U019200BZ1H-CEHQZ 加高晶振 HSX211SR 19.2 MHz ±10ppm 7pF
X2U038400B81H-EPQZ 加高晶振 HSX211SR 38.4 MHz ±10ppm 8pF
X2C016000B81H-HPU 加高晶振 HSX211S 16 MHz ±20ppm 8pF
X2C016000B91H-R_C254270 加高晶振 HSX211S 16 MHz ±10ppm 9pF
X2C024000B91H-HZ 加高晶振 HSX211S 24 MHz ±10ppm 9pF
X2C024000BA1H 加高晶振 HSX211S 24 MHz ±30ppm 10pF
X2C024000FA1H-X 加高晶振 HSX211S 24 MHz ±30ppm 10pF
X2C024000B71H-V 加高晶振 HSX211S 24 MHz ±30ppm 12.5pF
X2C026000B91H-V 加高晶振 HSX211S 26 MHz ±15ppm 9pF
X2C027120FA1H-HV 加高晶振 HSX211S 27.12 MHz ±30ppm 10pF
X2C032000B81H-HS 加高晶振 HSX211S 32 MHz ±15ppm 8pF
X2C032000BA1HA-U 加高晶振 HSX211S 32 MHz ±20ppm 10pF
X2C032000BC1H-R 加高晶振 HSX211S 32 MHz ±10ppm 12pF
X2C037400BG1H-U 加高晶振 HSX211S 37.4 MHz ±10ppm 16pF
X2C038400BA1H-HZ 加高晶振 HSX211S 38.4 MHz ±10ppm 10pF
X2C040000B91HA-Z 加高晶振 HSX211S 40 MHz ±10ppm 9pF
X2C048000L71H-CEHZ 加高晶振 HSX211S 48 MHz ±12ppm 7.8pF
X2C048000BA1H-HZ 加高晶振 HSX211S 48 MHz ±10ppm 10pF
X2C016000B91H-R 加高晶振 HSX211S 16 MHz ±10ppm 9pF
X2C016000BC1H-Z 加高晶振 HSX211S 16 MHz ±20ppm 12pF
X2C024000B71H-V 加高晶振 HSX211S 24 MHz ±30ppm 12.5pF
X2C024000B91H-HZ 加高晶振 HSX211S 24 MHz ±10ppm 9pF
X2C024000BA1H 加高晶振 HSX211S 24 MHz ±30ppm 10pF
X2C032000BA1HA-U 加高晶振 HSX211S 32 MHz ±20ppm 10pF
X2C037400BG1H-U 加高晶振 HSX211S 37.4 MHz ±10ppm 16pF
X2C040000B91HA-Z 加高晶振 HSX211S 40 MHz ±10ppm 9pF
X2C048000L71H-CEHZ 加高晶振 HSX211S 48 MHz ±12ppm 7.8pF
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