瑞薩電子發(fā)布全新遙遙領(lǐng)先同行的有源晶振，Renesas今天推出了兩個新的晶體振蕩器系列，擴大了其全面的定時產(chǎn)品組合。Renesas XU和XL系列以行業(yè)領(lǐng)先的價格提供無與倫比的功能和靈活性。性能比。高性能，低相位抖動晶體振蕩器可定制頻率為16 kHz至1.5 GHz，相位抖動RMS為300 fs，可用于HCMOS, LVPECL, LVDS和HCSL輸出。
為了縮短上市時間，Renesas提供其定制頻率石英晶體振蕩器的快速交付。習慣于從其他供應商那里等待長達數(shù)月的工程師可以在兩周或更短的時間內(nèi)收到新的Renesas晶體振蕩器。
Renesas瑞薩晶振時序和射頻部門副總裁兼總經(jīng)理Dave Shepard表示:XU和XL晶體振蕩器是Renesas對串行IO技術(shù)中更高數(shù)據(jù)吞吐量所導致的日益嚴格的抖動要求的響應。我們的新型振蕩器為設計人員提供了可靠且經(jīng)濟的解決方案，以應對日益增長的頻率控制挑戰(zhàn)。
新定時器件的典型抖動值為300 fs RMS，最大值為400 fs，集成在12 kHz至20 MHz范圍內(nèi)。它們是網(wǎng)絡、通信、數(shù)據(jù)I/O、存儲和服務器等應用的理想選擇。
XU和XL系列提供不同的吞吐速度，以滿足個人設計的要求。XU系列提供LVPECL, LVDS, HCSL和HCMOS版本，工作電壓為3.3 V, 2.5 V或1.8 V。這些器件的頻率穩(wěn)定性低至+/- 20ppm，溫度范圍寬至- 40至85，行業(yè)標準封裝- 7 x 5 mm, 5 x 3.2 mm。
XL系列提供LVPECL, LVDS和HCMOS版本，工作電壓為3.3 V或2.5 V。XL系列提供頻率穩(wěn)定性低至+/- 20 ppm，溫度范圍寬至-40℃至85℃，行業(yè)標準封裝- 7 x 5 mm, 5 x 3.2 mm和3.2 x 2.5 mm。

瑞薩電子發(fā)布全新遙遙領(lǐng)先同行的有源晶振，瑞薩晶振公司作為一家提供采用了先進技術(shù)的優(yōu)質(zhì)石英晶體振蕩器產(chǎn)品和為用戶提供誠摯服務，為全世界人民創(chuàng)造美好未來的企業(yè)，將為推動社會的可持續(xù)發(fā)展做出貢獻。
為此，我們在遵守法律法規(guī)和道德規(guī)范的同時，按照以下行動規(guī)范誠實行動，力求與所有的利益相關(guān)者共享繁榮。
用戶至上我們將提供優(yōu)化的高質(zhì)量解決方案來迅速回應用戶需求，最大限度提升用戶滿意度，從而贏得客戶的信賴。
妥善經(jīng)營我們將公平、公正和誠信地推進具有高透明度的企業(yè)活動，并且努力向所有的利益相關(guān)者積極公開事業(yè)活動的內(nèi)容。此外，我們還將通過開展可持續(xù)發(fā)展的事業(yè)活動以實現(xiàn)企業(yè)價值的最大化。
健康的工作環(huán)境我們將尊重員工的個性，并將努力創(chuàng)造一個安全、自由而有活力的工作環(huán)境，讓每個人的才干和能力都能得到最大限度的發(fā)揮。
全球企業(yè) 我們將尊重不同國家和地區(qū)的歷史、文化、風俗與人權(quán)，反對強迫勞動和雇傭童工。作為國際社會的一員，為世界各國各地區(qū)的發(fā)展做出貢獻。環(huán)境和諧我們將促進考慮了環(huán)境因素的石英晶體產(chǎn)品的開發(fā)、生產(chǎn)和銷售，同時努力將開發(fā)到廢棄的產(chǎn)品壽命周期中的環(huán)境影響減少到最低水平。我們還將通過自身的事業(yè)活動，努力協(xié)調(diào)人與環(huán)境的關(guān)系，以應對氣候變化和生物多樣性等全球問題。技術(shù)支持

原廠編碼	生產(chǎn)商品牌	型號	頻率	輸出	電源電壓	頻率容差
XUL535100.000000I	Renesas晶振	XU	100 MHz	LVDS	3.3V	±50ppm
XUL516100.000000I	Renesas晶振	XU	100 MHz	LVDS	1.8V	±25ppm
XUN535100.000000I	Renesas晶振	XU	100 MHz	HCSL	3.3V	±50ppm
XUL536100.000000I	Renesas晶振	XU	100 MHz	LVDS	3.3V	±25ppm
XUL536125.000000I	Renesas晶振	XU	125 MHz	LVDS	3.3V	±25ppm
XUL736100.000000I	Renesas晶振	XU	100 MHz	LVDS	3.3V	±25ppm
XUL536156.250000I	Renesas晶振	XU	156.25 MHz	LVDS	3.3V	±25ppm
XUL736150.000000I	Renesas晶振	XU	150 MHz	LVDS	3.3V	±25ppm
XUH518027.120000X	Renesas晶振	XU	27.12 MHz	HCMOS	1.8V	±20ppm
XUH538024.576000X	Renesas晶振	XU	24.576 MHz	HCMOS	3.3V	±20ppm
XUH738016.125000X	Renesas晶振	XU	16.125 MHz	HCMOS	3.3V	±20ppm
XUH738044.736000X	Renesas晶振	XU	44.736 MHz	HCMOS	3.3V	±20ppm
XUH518033.333333X	Renesas晶振	XU	33.333333 MHz	HCMOS	1.8V	±20ppm
XUH738025.000000X	Renesas晶振	XU	25 MHz	HCMOS	3.3V	±20ppm
XUH738072.000000X	Renesas晶振	XU	72 MHz	HCMOS	3.3V	±20ppm
XUH738022.579200X	Renesas晶振	XU	22.5792 MHz	HCMOS	3.3V	±20ppm
XUH538027.000000X	Renesas晶振	XU	27 MHz	HCMOS	3.3V	±20ppm
XUH538022.579200X	Renesas晶振	XU	22.5792 MHz	HCMOS	3.3V	±20ppm
XUH728025.000000X	Renesas晶振	XU	25 MHz	HCMOS	2.5V	±20ppm
XUH728020.000000X	Renesas晶振	XU	20 MHz	HCMOS	2.5V	±20ppm
XUH538013.000000X	Renesas晶振	XU	13 MHz	HCMOS	3.3V	±20ppm
XUH728016.125000X	Renesas晶振	XU	16.125 MHz	HCMOS	2.5V	±20ppm
XUH538067.108864X	Renesas晶振	XU	67.108864 MHz	HCMOS	3.3V	±20ppm
XUH538125.000000X	Renesas晶振	XU	125 MHz	HCMOS	3.3V	±20ppm
XUH535004.000000X	Renesas晶振	XU	4 MHz	LVCMOS	3.3V	±50ppm
XUH735033.333000X	Renesas晶振	XU	33.333 MHz	LVCMOS	3.3V	±50ppm
XUH730060.000000X	Renesas晶振	XU	60 MHz	LVCMOS	3.3V	±100ppm
XUH730080.000000I	Renesas晶振	XU	80 MHz	LVCMOS	3.3V	±100ppm
XUH736030.720000X	Renesas晶振	XU	30.72 MHz	LVCMOS	3.3V	±25ppm
XUH515045.125000I	Renesas晶振	XU	45.125 MHz	LVCMOS	1.8V	±50ppm
XUH525125.000000I	Renesas晶振	XU	125 MHz	LVCMOS	2.5V	±50ppm
XUH715066.600000I	Renesas晶振	XU	66.6 MHz	LVCMOS	1.8V	±50ppm
XUH715040.000000X	Renesas晶振	XU	40 MHz	LVCMOS	1.8V	±50ppm
XUH736033.000000I	Renesas晶振	XU	33 MHz	LVCMOS	3.3V	±25ppm
XUH716050.000000I	Renesas晶振	XU	50 MHz	LVCMOS	1.8V	±25ppm
XUH516033.333300I	Renesas晶振	XU	33.3333 MHz	LVCMOS	1.8V	±25ppm
XUH536090.000000I	Renesas晶振	XU	90 MHz	LVCMOS	3.3V	±25ppm
XUX735080.000000X	Renesas晶振	XU	80 MHz	HCMOS	3.3V	±50ppm
XUH536005.000000I8	Renesas晶振	XU	5 MHz	LVCMOS	3.3V	±25ppm
XUJ730080.000000X	Renesas晶振	XU	80 MHz	LVCMOS	3.3V	±100ppm

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