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首頁(yè)進(jìn)口晶振MERCURY晶振,恒溫晶振,OC11T晶振,烤箱控制晶體振蕩器

    MERCURY晶振,恒溫晶振,OC11T晶振,烤箱控制晶體振蕩器

  • 規(guī)格型號(hào):19986685
  • 頻率:1.25 MHz ~100.0 MHz
  • 尺寸:25.4x25.4 mm
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  • 產(chǎn)品描述:貼片式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)...
       MERCURY晶振,恒溫晶振,OC11T晶振,烤箱控制晶體振蕩器,石英晶體振蕩器在設(shè)計(jì)時(shí)就與各款型號(hào)IC匹配等相關(guān)技術(shù),使用IC與晶片設(shè)計(jì)匹配技術(shù):是高頻振蕩器研發(fā)及生產(chǎn)過(guò)程必須要解決的技術(shù)難題。在設(shè)計(jì)過(guò)程中除了要考慮石英晶體諧振器具有的電性外,還有石英晶體振蕩器的電極設(shè)計(jì)等有它的特殊性,必須考慮振蕩器的供應(yīng)電壓、起動(dòng)電壓和產(chǎn)品上升時(shí)間、下降時(shí)間等相關(guān)參數(shù)。
插件式石英晶體振蕩器,低電壓?jiǎn)?dòng)功率,并且有多種電壓供選擇,比如有1.8V,2.5V,3.3V,3.8V,5V等,產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于,平板筆記本,GPS系統(tǒng),光纖通道,千兆以太網(wǎng),串行ATA,串行連接SCSI,PCI-Express的SDH / SONET發(fā)射基站等領(lǐng)域.符合RoHS/無(wú)鉛.
     石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù):是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序,鍍膜的工藝方法(如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等)。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng),貼片晶振頻率更加集中,能控制在最小ppm之內(nèi)。
     石英晶振真空退火技術(shù):晶振廠(chǎng)家高真空退火處理是消除貼片晶振在加工過(guò)程中產(chǎn)生的應(yīng)力及輕微表面缺陷。在PLC控制程序中輸入已設(shè)計(jì)好的溫度曲線(xiàn),使真空室溫度跟隨設(shè)定曲線(xiàn)對(duì)晶體組件進(jìn)行退火,石英晶振通過(guò)合理的真空退火技術(shù)可提高晶振主要參數(shù)的穩(wěn)定性,以及提高石英晶振的年老化特性MERCURY晶振,恒溫晶振,OC11T晶振,烤箱控制晶體振蕩器,
石英晶振規(guī)格 單位 OC11T    25.4*25.4mm 晶振說(shuō)明 進(jìn)口振蕩器基本條件
額定頻率范圍 f_nom 1.25 MHz ~100.0 MHz 標(biāo)準(zhǔn)頻率
儲(chǔ)存溫度 T_stg -40°C ~ +85°C 裸存
工作溫度 T_use -10°C ~ +70°C 標(biāo)準(zhǔn)溫度
電源電壓 SV 2.5V 1.8V 3.3V 5V 12V  
頻率公差 f_— l ±50 × 10-6 (標(biāo)準(zhǔn)),
(±15 × 10-6 ~ ±100 × 10-6 可用)
+25°C 對(duì)于超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格說(shuō)明,
請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取相關(guān)的信息.
頻率溫度特征 f_tem ±30 × 10-6/-20°C ~ +70°C 超出標(biāo)準(zhǔn)的規(guī)格請(qǐng)聯(lián)系我們.
負(fù)載電容 CL 15pF 超出標(biāo)準(zhǔn)說(shuō)明,請(qǐng)聯(lián)系我們.
串聯(lián)電阻(ESR) R1 如下表所示 -40°C —  +85°C, DL = 100μW
頻率老化 f_age ±5 × 10-6 / year Max. +25°C,第一年
 


    粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。MERCURY晶振,恒溫晶振,OC11T晶振,烤箱控制石英晶振
    鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用SMD晶振產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi),都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。 
    靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞恒溫晶振產(chǎn)品,請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候,請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路,并進(jìn)行接地操作。
MERCURY晶振集團(tuán)認(rèn)識(shí)到進(jìn)行環(huán)境管理和資源保持的責(zé)任和必要性,恒溫晶振同時(shí)也認(rèn)識(shí)到針對(duì)全球環(huán)境問(wèn)題,為保持國(guó)際環(huán)境而進(jìn)行各行業(yè)建設(shè)性的合作是極其重要的。
過(guò)去MERCURY晶振集團(tuán)已經(jīng)針對(duì)重大污染控制項(xiàng)目建立了一整套記錄程序并且將繼續(xù)識(shí)別解決其自身環(huán)境污染及保持問(wèn)題,加強(qiáng)責(zé)任感以便進(jìn)行環(huán)境績(jī)效的持續(xù)改進(jìn)。
MERCURY晶振集團(tuán)將:插件晶振不論何時(shí)何地盡可能的進(jìn)行源頭污染預(yù)防。為環(huán)境目標(biāo)指標(biāo)的建立與評(píng)審提供框架。通過(guò)充分利用或回收等方法實(shí)現(xiàn)對(duì)自然資源的保持。
MERCURY晶振集團(tuán)將確保其產(chǎn)品及相關(guān)設(shè)施滿(mǎn)足甚至超出國(guó)家的、州立的以及地方環(huán)保機(jī)構(gòu)的相關(guān)法規(guī)規(guī)定及其他要求,同時(shí)該公司盡可能的參與并協(xié)助政府機(jī)關(guān)和其他官方組織從事的環(huán)保活動(dòng)。 在地方對(duì)各項(xiàng)設(shè)施的管理責(zé)任中,高穩(wěn)定性恒溫振蕩器確保滿(mǎn)足方針的目標(biāo)指標(biāo),同時(shí)在各種經(jīng)營(yíng)與生產(chǎn)活動(dòng)中完全遵守并符合現(xiàn)行所有標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的要求MERCURY晶振,恒溫晶振,OC11T晶振,烤箱控制晶體振蕩器。

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