您好，歡迎光臨帝國科技！
產(chǎn)品分類
PRODUCT
PRODUCT
- 國產(chǎn)晶振
- 聲表面濾波器
- 石英晶體
- 石英晶振
- 貼片晶振
- 陶瓷晶振
- 陶瓷濾波器
- 陶瓷霧化片
- 進(jìn)口晶振
- MERCURY晶振
- Fujicom晶振
- 日本大真空晶振
- 愛普生晶振
- 西鐵城晶振
- 精工晶振
- 村田陶瓷晶振
- 日本京瓷晶振
- 日本進(jìn)口NDK晶體
- 大河晶振
- TXC晶振
- 亞陶晶振
- 臺灣泰藝晶體
- 臺灣鴻星晶體
- 美國CTS晶體
- 微孔霧化片
- 加高晶振
- 希華石英晶振
- AKER晶振
- NAKA晶振
- SMI晶振
- NJR晶振
- NKG晶振
- Sunny晶振
- 歐美晶振
- Abracon晶振
- ECS晶振
- Golledge晶振
- IDT晶振
- Jauch晶振
- Pletronics晶振
- Raltron晶振
- SiTime晶振
- Statek晶振
- Greenray晶振
- 康納溫菲爾德晶振
- Ecliptek晶振
- Rakon晶振
- Vectron晶振
- 微晶晶振
- AEK晶振
- AEL晶振
- Cardinal晶振
- Crystek晶振
- Euroquartz晶振
- FOX晶振
- Frequency晶振
- GEYER晶振
- KVG晶振
- ILSI晶振
- MMDCOMP晶振
- MtronPTI晶振
- QANTEK晶振
- QuartzCom晶振
- Quarztechnik晶振
- Suntsu晶振
- Transko晶振
- Wi2Wi晶振
- ACT晶振
- MTI晶振
- Lihom晶振
- Rubyquartz晶振
- Oscilent晶振
- SHINSUNG晶振
- ITTI晶振
- PDI晶振
- ARGO晶振
- IQD晶振
- Microchip晶振
- Silicon晶振
- Fortiming晶振
- CORE晶振
- NIPPON晶振
- NICKC晶振
- QVS晶振
- Bomar晶振
- Bliley晶振
- GED晶振
- FILTRONETICS晶振
- STD晶振
- Q-Tech晶振
- Anderson晶振
- Wenzel晶振
- NEL晶振
- EM晶振
- PETERMANN晶振
- FCD-Tech晶振
- HEC晶振
- FMI晶振
- Macrobizes晶振
- AXTAL晶振
- DEI晶振
帝國博客
更多>>
- 規(guī)格型號：11917566
- 頻率：32.768KHZ
- 尺寸：7.1*1.5*1.4mm 7.1*3.3*1.3mm
- 產(chǎn)品描述：貼片石英晶體,"MC-156 32.7680KA-A0:ROHS"體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通...
MC-146貼片晶振,MC-156諧振器,愛普生32.768K晶振,MC-156 32.7680KA-A0:ROHS
.jpg)
MC-146貼片晶振,MC-156諧振器,愛普生32.768K晶振,"MC-156 32.7680KA-A0:ROHS",貼片石英晶體,愛普生晶振,體積小,焊接可采用自動貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢,耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
| 愛普生晶振規(guī)格 | 符號 | MC-146,MC-156晶振規(guī)格圖規(guī)格說明 | 條件 | |
|---|---|---|---|---|
| 額定頻率范圍 | f_nom | 32.768kHz | 32kHz ～ 100kHz | 請聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息。 |
| 儲存溫度 | T_stg | -55°C ～ +125°C | 裸存 | |
| 工作溫度 | T_use | -40°C ～ +85°C | ||
| 激勵功率 | DL | 1.0μW Max. | 工作激勵功率 0.5μW Max. | |
|
頻率公差 （標(biāo)準(zhǔn)） |
f_tol |
± 20 × 10-6, ± 50 × 10-6 |
± 50 × 10-6, ± 100 × 10-6 |
+25°C, DL=0.1μW |
| 拐點(diǎn)溫度 | Ti | +25°C ±5°C | ||
| 頻率溫度系數(shù) | B | -0.04 × 10-6/ °C2 Max. | ||
| 負(fù)載電容 | CL | 7pF, 9pF, 12.5pF | 可指定 | |
| 串聯(lián)電阻（ESR） | R1 | 65kΩ Max. | 65kΩ ～ 25kΩ | |
| 串聯(lián)電容 | C1 | 1.9fF Typ. | 2.5fF ～ 0.6fF | |
| 分路電容 | C0 | 0.8pF Typ. | 1.2pF ～ 0.5pF | |
| 頻率老化 | f_age | ±3 ×10-6 / year Max. | ±5 ×10-6 / year Max. |
+25°C, 第一年 |
.jpg)
"MC-156 32.7680KA-A0:ROHS",石英材料中的二氧化硅分子(SiO2) 在正常狀態(tài)下, 其電偶極是互相平衡的電中性. 在(圖二左)的二氧化硅是以二維空間的簡化圖形. 當(dāng)我們在硅原子上方及氧原子下方分別給予正電場及負(fù)電場時(shí), 空間系統(tǒng)為了維持電位平衡, 兩個(gè)氧原子會相互排斥, 在氧原子下方形成一個(gè)感應(yīng)正電場區(qū)域, 同時(shí)在硅原子上方產(chǎn)生感應(yīng)負(fù)電場區(qū)域. 相反的情況, 當(dāng)我們在硅原子上方及氧原子下方分別給予負(fù)電場及正電場時(shí), 兩個(gè)氧原子會相互靠近, 氧原子下方產(chǎn)生感應(yīng)負(fù)電場,硅原子上方產(chǎn)生感應(yīng)正電場. (圖二). 然而, 氧原子的水平位置變化時(shí), 鄰近的另一個(gè)氧原子會相對的產(chǎn)生排斥或吸引的力量, 迫使氧原子回到原來的空間位置. 因此, 電場的力量與原子之間的力量會相互牽動, 電場的改變與水平方向的形變是形成交互作用狀態(tài). 這個(gè)交互作用會形成一個(gè)在石英材料耗能最小的振動狀態(tài), 祇要由電場持續(xù)給與能量, 石英材料就會與電場之間維持一個(gè)共振的頻率. 這個(gè)壓電效應(yīng)下氧原子的振幅與電場強(qiáng)度及電場對二氧化硅的向量角度有相對應(yīng)的關(guān)系.在實(shí)際的應(yīng)用上, 電場是由鍍在石英芯片上的金屬電極產(chǎn)生, 電場與二氧化硅的向量角度則是由石英晶棒的切割角度來決定.
.jpg)
"MC-156 32.7680KA-A0:ROHS", 環(huán)境活動方針 通過追求以QMEMS 技術(shù)為核心的“省、小、精”技術(shù),來推動具有領(lǐng)先性的環(huán)保活動,把降低環(huán)境負(fù)荷作為一種顧客價(jià)值提供給顧客.
1、創(chuàng)造并提供專研了“省、小、精”的水晶元器件及其關(guān)聯(lián)產(chǎn)品；并且構(gòu)筑和革新既可以降低環(huán)境負(fù)荷又可以提高生產(chǎn)性的生產(chǎn)流程的活動.
2、不僅遵守與環(huán)保相關(guān)的法規(guī)、條例及其他本公司贊同的要求事項(xiàng),也根據(jù)需要自主性的制定基準(zhǔn),通過持續(xù)性的展開環(huán)保活動來預(yù)防污染.
3、在設(shè)定環(huán)保目的與目標(biāo)展開活動的同時(shí),定期重審環(huán)境管理體系,努力提高環(huán)保活動的水平.
4、通過與地區(qū)的交流及社會貢獻(xiàn)活動,為地區(qū)的環(huán)保做貢獻(xiàn).
5、將環(huán)保活動的信息向公司內(nèi)外公開,積極努力的與地區(qū)社會及相關(guān)人員建立信賴關(guān)系,為社會的發(fā)展做出貢獻(xiàn).
通過此方針的公文化,在向公司員工及從事本事業(yè)領(lǐng)域業(yè)務(wù)的所有相關(guān)人員徹底傳達(dá)的同時(shí), 也向公司外部公開.
深圳市帝國科技有限公司SHENZHEN DIGUO TECHONLOGY CO.,LTD
聯(lián)系人：譚蘭艾 手 機(jī)：86-13826527865
電 話：86-0755-27881119 QQ：921977998
E-mail：dgkjly@163.com
網(wǎng) 址：m.luck-168.com.cn
地 址：中國廣東省深圳市寶安區(qū)西鄉(xiāng)大道新湖路
業(yè)務(wù)經(jīng)理
