編程這個詞對我們晶振行業(yè)來說算的上是陌生名詞，但電腦編程程序編程員我們還會有聽過的，就是不知道他們具體是做什么的。所以一般如果有人跟你說自己是搞編程的一定會讓你感到絲絲神秘感吧，但不用著急，現(xiàn)在我們晶振也有編程了，一起來看看這是怎樣一顆神秘的石英晶振。
    那么可編程石英晶振目前市場如何呢？可編程石英晶振目前市場前景在中國國內(nèi)來說市場并不是很好，國內(nèi)主要還是使用常規(guī)的壓電石英晶體振蕩器多點，目前硅晶體可編程系列在國內(nèi)接受度并沒有得到廣泛的認(rèn)可，說難聽點很多人連聽都沒聽說過，更別說使用了。
    目前國內(nèi)市場有用到硅晶體可編程貼片晶振的企業(yè)主要以歐美企業(yè)，以及代工歐美OEM的企業(yè)比較多，因為可編程有源晶振在歐盟接受度還是比較大的。不過可硅晶體編程有源晶振對于一些工程設(shè)計，或者產(chǎn)品開發(fā)人士來說是件非常好的事情，因為很多產(chǎn)品在開發(fā)階段使用頻率都還處在選型階段，而且硅晶體屬于可編程貼片晶振，這樣就大大的滿足了工程設(shè)計階段樣品采購。
    什么叫做可編程晶振？其實可編程還有個很好聽的名字叫做：硅晶體，可編程石英晶振簡單的解釋就是，把你需要的晶振頻率，精度，電壓，負(fù)載等要求提供過來，在通過簡單的電腦編輯器，把你需要的這些參數(shù)在電腦控制器上，輸入你所提供的參數(shù)，然后按下確定鍵就可以把頻率，電壓等參數(shù)寫入到空白的晶振片上。如果還是不明白你就想一下，IC是怎么編程的，原理跟IC編程一個道理，只不過IC編程有分為電腦編輯以及手工模擬編輯，手工模擬編輯就是把一顆工片放在主機(jī)上，母片放入編輯機(jī)的附件，按下確定就可以把公片上的IC系列參數(shù)復(fù)制進(jìn)入母片，不過目前可編輯的石英晶振現(xiàn)在還沒做到這種地步。
愛普生晶振可編程晶振         SG-8101CA          SG-8101CB          SG-8101CE SG-8101CG
Size：  7.0 x 5.0 x 1.3mm Typ. 5.0 x 3.2 x 1.1mm Typ. 3.2 x 2.5 x 1.05mm Typ.        2.5 x 2.0 x 0.7mm Typ.
Output CMOS  Frequency range  [ f0 ]   0.67 MHz to 170 MHz
Supply voltage  [ Vcc]    1.62 V to 3.63 V  (1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3V Typ. )
Frequency tolerance  /Operating temperature ±15 x 10-6 / -40℃ to +85℃  ±20 x 10-6 / -40℃ to +105℃  ±50 x 10-6 / -40℃ to +105℃
Current consumption       f0 = 20 MHz  3.0 mA Typ. ( Vcc = 3.3V , +25℃)  3.5 mA Max. ( Vcc = 3.3V , +105℃)
f0 = 170 MHz  6.8 mA Typ. ( Vcc = 3.3V , +25℃)  8.1 mA Max. ( Vcc = 3.3V , +105℃)  Standby current 0.3 µA Typ. (Vcc = 1.8V , +25℃ )  0.9 µA Typ. (Vcc = 1.8V , +105℃ ) 
Field oscillator programming tool     SG-Writer II愛普生晶振可編程系列
    目前石英晶振行業(yè)可編輯的只針對貼片晶振系列產(chǎn)品，并且只限定有源晶振的石英晶體振蕩器OSC系列尺寸。如果是普通無源石英晶體諧振器系列的話，目前是還不支持可編程的，并且是指針對SMD晶振系列，如果是引線型的插件晶振目前也不在支持范圍。
編程器與FP空白片  任意頻率，多種規(guī)格：         SiT6100DK（SiTime硅晶振編程器套裝）；SiT800X/ SiT200X（低功耗可編程晶振空白片，6種封裝尺寸）；SiT8208/9A1-X1-XXX-000.FP000（低抖動可編程晶振空白片）；SiT912X/ SiT38XX（壓控差分可編程晶振空白片，3種封裝尺寸）。
SiTime硅晶振選型表：普通單端振蕩器XO  1-220MHz  ；高性能、低抖動  <1 ps Phase Jitter  ±10ppm SiT8208（1-80MHz）  SiT8209（80.000001-220 MHz）；  低功耗系列  <3.8mA          SiT8008（1-110MHz,最小封裝尺寸2.0×1.6mm）  SiT8009（115-137MHz）；  業(yè)界首款SOT23封裝振蕩器  成本更低       SiT2001（1-110MHz,SOT23-5封裝2.9×2.8mm）  SiT2002（115-137MHz）  RTC時鐘32.768KHz ； 超低功耗，超高精度 典型值0.9uA  ±20ppm     SiT1533（2.0×1.2mm,SMD）  SiT1532（1.5×0.8mm,CSP）  SiT1630（2012 SMD,-40～105℃） ； 業(yè)界精度最高32.768K TCXO          SiT1552（±5ppm,1.5×0.8mm）；  差分振蕩器DXO  1-625MHz LVDS/LVPECL  <1 ps Phase Jitter  ±10ppm  SiT9121（1-220MHz,2.25～3.63v）  SiT9122（220.000001-625MHz，最小封裝可到3.2×2.5mm）；  壓控振蕩器VCXO  1-625MHz   <1 ps Jitter  LVCMOS/LVTTL   SiT3808（1-80MHz,pull rang ±25 ppm to ±1600ppm）  SiT3809（80.000001-220 MHz）  <0.75 ps Jitter  LVDS/LVPECL         SiT3821（1-220MHz）  SiT3822（220.000001-625MHz）；  抗沖擊寬溫振蕩器  -55℃～125℃，±20ppm  MTBF  13億小時；         AEC-Q100汽車級振蕩器  SOT23-5封裝      SiT2024（1-110MHz, -40～105℃, -40～125℃）  SiT2025（115.2-137MHz）；  AEC-Q100汽車級振蕩器  普通SMD封裝     SiT8924（1-110MHz, -40～125℃,封裝尺寸最小到2.0×1.6mm）  SiT8925（220.000001-625MHz） ； 50kg沖擊軍品級振蕩器  SOT23-5封裝    SiT2020（1-110MHz, -55～125℃）  SiT2021（119.342001-137MHz）；  50kg沖擊軍品級振蕩器  標(biāo)準(zhǔn)SMD封裝         SiT8920（1-110MHz, -55～125℃,封裝尺寸最小到2.0×1.6mm）  SiT8921（119.342001-137MHz）
愛普生晶振可編程系列 SG-9101CA          SG-9101CB          SG-9101CE SG-9101CG
Size      7.0 x 5.0 x 1.3mm Typ. 5.0 x 3.2 x 1.1mm Typ. 3.2 x 2.5 x 1.05mm Typ.        2.5 x 2.0 x 0.7mm Typ.
Output CMOS  Frequency range  [ f0 ]   0.67 MHz to 170 MHz  Supply voltage
[ Vcc]    1.62 V to 3.63 V  (1.8 V Typ. / 2.5 V Typ. / 3.3V Typ. )  Spread-spectrum  Down or Center spread modulation
Operating temperature   -40℃ to +85℃  -40℃ to +105℃
Current consumption       f0 = 20 MHz  3.2 mA Typ. ( Vcc = 3.3V , +25℃)  3.7 mA Max. ( Vcc = 3.3V , +105℃)
f0 = 170 MHz  7 mA Typ. ( Vcc = 3.3V , +25℃)  8.3 mA Max. ( Vcc = 3.3V , +105℃)  Standby current    0.3 µA Typ. (Vcc = 1.8V , +25℃ )  0.9 µA Typ. (Vcc = 1.8V , +105℃ ) 
Field oscillator programming tool     SG-Writer II愛普生晶振可編程SG-9101系列
    根據(jù)早期電子元件信息平臺發(fā)布，將來美國SiTime Corporation公司的硅晶體技術(shù)將會代替壓電石英晶體，首先主要是先把硅晶體晶片植入ICCUP芯片一起綁定，硅晶體晶片跟ICCPU綁定之后，在外圍的線路上講可以省略預(yù)留壓電石英晶體的位置，起到對貼片晶振的取代，并且可以為日益變小的電子產(chǎn)品節(jié)省更多的空間，不過時間都已經(jīng)過去好幾年了，也沒見多有所行懂，目前應(yīng)該還存在理論上。
KDS晶振可編程系列M08008系列晶振
出力周波數(shù)：1 MHz～110 MHz（小數(shù)點以下6桁まで対応）
外形寸法：2.0×1.6、2.5×2.0、3.2×2.5、5.0×3.2、7.0×5.0 mm
周波數(shù)許容偏差：±20 x 10-6
低消費電流：+3.5 mA (typical、Vdd = +1.8V)
IDSC,DVC、DVR、IP CAM,e-Books Tablets,SSD,GPON、EPON等
USB,以及入門級SATA,SAS,Firewire 100米,1 G / 10g /以太網(wǎng)
KDS晶振可編程    記號 Min.  Typ.   Max. 単位 條件
出力周波數(shù)範(fàn)囲   f        1       -        110   MHz 
電源電圧      Vdd   +1.62          +1.8  +1.98          V  +2.25   +2.5  +2.75  +2.52      +2.8  +3.08  +2.7        +3.0  +3.3  +2.97        +3.3  +3.63  +2.25         -        +3.63
動作溫度範(fàn)囲       T_use         -20    -        +70   ℃     Extended Commercial  -40  -        +85   Industrial
周波數(shù)許容偏差   F_stab        -20    -        +20   ×10-6       +25℃での初期周波數(shù)偏差、経時変化(1年)、溫度特性、
動作電源電圧範(fàn)囲での電源電圧特性、負(fù)荷特性を含む。  -25      -        +25  -50   -        +50
消費電流      Idd    -        +3.8  +4.5  mA    No load condition, f = 20 MHz, Vdd = +2.8V ~ +3.3V  -     +3.7  +4.2 No load condition, f = 20 MHz, Vdd = +2.5V  -  +3.5  +4.1  No load condition, f = 20 MHz, Vdd = +1.8V 
OEディスエーブル電流        I_od  -        -        +4.2  mA    Vdd = +2.5V ~ +3.3V, OE = GND, Output in high-Z state  -         -        +4.0  Vdd = +1.8V, OE = GND, Output in high-Z state
スタンバイ時電流         I_std -        +2.1  +4.3  μA   ST= GND, Vdd = +2.8V ~ +3.3V, Output is weakly pulled down  -       +1.1  +2.5  ST= GND, Vdd = +2.5V , Output is weakly pulled down  -      +0.2  +1.3  ST= GND, Vdd = +1.8V, Output is weakly pulled down
デューティーサイクル DC     45     -        55     %      All Vdds
0レベル電圧        VOL   -        -        Vdd × 0.1         V       IOL = +4.0 mA (Vdd = +3.0V or +3.3V)  IOL = +3.0 mA (Vdd = +2.8V and Vdd = +2.5V)   IOL = +2.0 mA (Vdd = +1.8V)
1レベル電圧        VOH  Vdd × 0.9         -        -        V       IOH = -4.0 mA (Vdd = +3.0V or +3.3V)  IOH = -3.0 mA (Vdd = +2.8V and Vdd = +2.5V)   IOH = -2.0 mA (Vdd = +1.8V)
立上り、立下り時間     Tr,Tf   -        1.0    2.0    ns      Vdd = +2.5V, +2.8V, +3.0V or +3.3V, 20% ~ 80%  -   1.3    2.5    Vdd =+1.8V, 20% ~ 80%  -   -         2.0    Vdd = +2.25V ~ +3.63V, 20% ~ 80%
OE 0レベル入力電圧    VIL    -        -        Vdd × 0.3         V       Pin 1, OE or ST
OE 1レベル入力電圧    VIH   Vdd × 0.7         -        -        V       Pin 1, OE or ST
起動時間      T_start       -        -        5.0    ms    Vddが定格最小値に達(dá)してからの時間
出力イネーブル時間
出力ディスエーブル時間      T_oe -        -        130   ns      f = 110 MHz. For other frequencies, T_oe = 100 ns + 3 * cycles
レジューム時間   T_resume  -        -        5.0    ms    ST 端子が50%のしきい値に達(dá)してからの時間
RMSピリオドジッタ    T_jitt -        1.8    3.0    ps      f = 75 MHz, Vdd = +2.5V, +2.8V, +3.0V or +3.3V  -   1.8    3.0    f = 75 MHz, Vdd = +1.8V
Peak-to-peak ピリオドジッタ        T_pk  -        12     25     ps      f = 75 MHz, Vdd = +2.5V, +2.8V, +3.0V or +3.3V  -   14     30     f = 75 MHz, Vdd = +1.8V
RMS位相ジッタ (ランダム) T_phj          -        0.5    0.9    ps      f = 75 MHz, Integration bandwidth = 900 kHz ~ 7.5 MHz  -      1.3    2.0    f = 75 MHz, Integration bandwidth = 12 kHz ~ 20 MHz
    那么目前在國內(nèi)市場都有那些品牌在做可編程石英晶振呢？在做的品牌有日本大真空KDS晶振，精工愛普生株式會社，愛普生晶振，日本京瓷晶振，KSS晶振品牌，以及臺灣泰藝晶振，臺灣亞陶晶振，美國SiTime晶振，不過目前在市場銷售的品牌也就主要以美國SiTime晶振品牌為主了，臺灣晶振品牌，以及日本進(jìn)口晶振品牌中，在市場公開普及銷售的還是比較少，不過日本的愛普生晶振品牌，以及KDS晶振品牌，這兩個品牌目前可接受可編程晶振的定制，不過價格比起普通的壓電石英晶體振蕩器來說，還是非常昂貴的。
    現(xiàn)在市面上對硅晶體技術(shù)以及產(chǎn)量做的最優(yōu)越的還得說美國的SiTime Crystal，對于美國SiTime晶振品牌來說在歐美市場非常受歡迎，并且很多大型科技企業(yè)得到了廣泛應(yīng)用，很遺憾的事，可編程硅晶體目前只針對有源石英晶體振蕩器系列，并不對普通壓電石英晶振可采取數(shù)據(jù)編輯。
看到揭開神秘面紗后的可編程晶振感覺如何，就是不知道你有沒有被它驚艷到，雖然現(xiàn)在可實現(xiàn)范圍不廣但依然不可阻擋它那奪目的光芒。