規(guī)格型號：81003913
頻率：0.50~160.0MHz,0.50~120.0MHz
尺寸：7.0*5.0mm
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產(chǎn)品描述：新松晶振,SXO-S晶振,SXO-S-33ST-30F3-20.000MHz晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振...

新松晶振,SXO-S晶振,SXO-S-33ST-30F3-20.000MHz晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點,SMD高速自動安裝和高溫回流焊設(shè)計,Optionable待機輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動,低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無線通訊,高端智能手機,平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機,DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無鉛.
SHINSUNG晶振公司的發(fā)展如下：
1990年的Aug.1999成立Shinsung SAW Electronics Co.

1999年12月開始生產(chǎn)晶體和振蕩器（osc，vcxo）

1999年12月開始制造TCXO
2000年1月完成高頻VCXO （100MHz以上）的開發(fā)
Mar.2001開始開發(fā)SMD OSC和Crystal
Jul.2002Jul.2002完成了可編程振蕩器的開發(fā)
Jul.2002開始批量生產(chǎn)可編程振蕩器
Jun.2005SMD生產(chǎn)線產(chǎn)能擴(kuò)張和樓宇自動化
2006年8月開始批量生產(chǎn)SMD OSC和X-Tal（7050,5032尺寸）
2007年2月完成SMD VCXO（7050,5032尺寸）的開發(fā)
Aug.2009完成SMD Crystal（3225尺寸）的開發(fā)
2009年12月成SMD VCTCXO（5032尺寸）的開發(fā),開始批量生產(chǎn)SMD VCXO（7050,5032尺寸）
2010年1月完成SMD振蕩器（3225尺寸）的開發(fā),開始批量生產(chǎn)SMD水晶（3225尺寸）
2010年2月完成SMD LVPECL振蕩器,（7050尺寸）的開發(fā).
2010年3月在800MHz頻段,（7050,14x9.6尺寸）完成LVPECL OSC的開發(fā).
2010年4月在800MHz頻段（7050,14x9.6尺寸）完成LVPECL VCXO的開發(fā),開始批量生產(chǎn)SMD振蕩器（3225尺寸）,開始批量生產(chǎn)SMD LVPECL振蕩器（7050尺寸）
2011年2月完成SMD VCTCXO（3225尺寸）的開發(fā)
AUG.2011開始生產(chǎn)SMD VCTCXO（3225尺寸）
Mar.2012成立附屬研究所。
SHINSUNG晶振公司主旨:以顧客為中心,基于價值的管理,人類和諧的價值;我們認(rèn)為我們的客戶是合作伙伴,并努力滿足并超越他們對質(zhì)量,客戶服務(wù)和價值的評價,在生產(chǎn)石英晶體振蕩器方面出色,是其他公司難以對比.新松晶振,SXO-S晶振,SXO-S-33ST-30F3-20.000MHz晶振.

type		5.0V	3.3V	2.5V	1.8V
frequency range		0.50 ~ 160.0MHz		0.50 ~ 120.0MHz
frequency stability		± 20ppm ~ ± 100ppm ( overall )
supply voltage V DD		5.0V ± 10%	3.3V ± 10%	2.5V ± 5%	1.8V ± 5%
input current (15pF load)	1.0 ~ 20.0MHz	10 mA max	7 mA max	7 mA max	7 mA max
	20.1 ~ 40.0MHz	30 mA max	20 mA max	15 mA max	12 mA max
	40.1 ~ 60.0MHz	50 mA max	30 mA max	20 mA max	15 mA max
	60.1 ~ 95.0MHz	60 mA max	50 mA max	30 mA max	25 mA max
operating temperature		STD. -10℃ ~ 70℃ / Option : -40℃ ~ 90℃
storage temperature		-55℃ ~ 125℃
aging		±3.0ppm max at +25℃ ±3℃ for first year
phase jitter 12kHz ~ 20MHz		< 1.0ps RMS
output	load	15pF max (HCMOS)
	logic level	low 10% Vcc max / high 90% Vcc min
	symmetry	55/45 @ 50% V DD
	rise / fall time	10 nS MAX / 10% VDD to 90% level
start up time		10 mS MAX
Tristate		enable : 0.7 V DD (min) / disable : 0.3 V DD (max)
All specifications are subject to change without notice

耐焊性:

將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時間.同時,在安裝條件更改的情況下,請再次進(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.

粘合劑

請勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.（比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.）

機械振動的影響

當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機械振動時,比如：壓電揚聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會受到影響.這種現(xiàn)象對通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計可最小化這種機械振動的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作.

熱影響

重復(fù)的溫度巨大變化可能會降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.

安裝方向

振蕩器的不正確安裝會導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時,請檢查安裝方向是否正確.

通電

不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.

負(fù)載電容

有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強力調(diào)整,可能只會導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請指明該振動電路的負(fù)載電容（請參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容）.新松晶振,SXO-S晶振,SXO-S-33ST-30F3-20.000MHz晶振.

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新松晶振,SXO-S晶振,SXO-S-33ST-30F3-20.000MHz晶振

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