規(guī)格型號(hào)：43634547
頻率：0.75~160.0MHz,160.1~800.0MHz晶振
尺寸：7.0*5.0mm
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產(chǎn)品描述：SHINSUNG晶振,SXO-P-S晶振,SXO-P-S-33ST-30HZ-26MHz晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶...

SHINSUNG晶振,SXO-P-S晶振,SXO-P-S-33ST-30HZ-26MHz晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.

我們認(rèn)為我們的客戶(hù)是合作伙伴，并努力滿(mǎn)足并超越他們對(duì)質(zhì)量，客戶(hù)服務(wù)和價(jià)值的要求我們是最新的Smd或通孔型晶體單元，時(shí)鐘OSC，TCXO，VCXO，MCF等，并提供高產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定，穩(wěn)定性高。

產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電子行業(yè)，包括電信，微處理器，汽車(chē)，儀器儀表和醫(yī)療應(yīng)用。

SHINSUNG晶振發(fā)展歷程：
1999成立Shinsung SAW Electronics Co.
1999年12月開(kāi)始生產(chǎn)晶體和振蕩器（osc，vcxo）

2000年1月完成高頻VCXO （100MHz以上）的開(kāi)發(fā)
Mar.2001開(kāi)始開(kāi)發(fā)SMD OSC和Crystal
Jul.2002開(kāi)始批量生產(chǎn)可編程振蕩器
Aug.2009完成SMD Crystal（3225尺寸）的開(kāi)發(fā)
2009年12月成SMD VCTCXO（5032尺寸）的開(kāi)發(fā),開(kāi)始批量生產(chǎn)SMD VCXO（7050,5032尺寸）
2010年1月完成SMD振蕩器（3225尺寸）的開(kāi)發(fā),開(kāi)始批量生產(chǎn)SMD水晶（3225尺寸）
2010年4月在800MHz頻段（7050,14x9.6尺寸）完成LVPECL VCXO的開(kāi)發(fā),開(kāi)始批量生產(chǎn)SMD振蕩器（3225尺寸）,開(kāi)始批量生產(chǎn)SMD LVPECL振蕩器（7050尺寸）
AUG.2011開(kāi)始生產(chǎn)SMD VCTCXO（3225尺寸）
Mar.2012成立附屬研究所。
韓國(guó)新松晶振成立,主要生產(chǎn)石英晶體,石英晶體振蕩器,貼片晶振等元件.多年來(lái)一直以追求質(zhì)量,為客戶(hù)提供高品質(zhì)的SHINSUNG晶振產(chǎn)品和一流的服務(wù)為經(jīng)營(yíng)理念.SHINSUNG晶振,SXO-P-S晶振,SXO-P-S-33ST-30HZ-26MHz晶振.

frequency range		0.75 ~ 160.0MHz	160.1 ~ 800.0MHz	REMARK
frequency stability		± 20ppm ~ ± 100ppm ( overall )
supply voltage V DD		3.3V ± 5%
input current		100 mA max
operating temperature		STD. -10℃ ~ 70℃ / Option : -40℃ ~ 90℃
storage temperature		-55℃ ~ 125℃
aging		±3.0ppm max at +25℃ ±3℃ for first year
intergrate jitter RMS		1.0ps RMS (max)	2.5ps RMS (max)	Intergrated 12KHz to 20MHz
output	high level	VDD-1.025V (RL = 50ohms to VDD-2VDC : LVPECL)
	low level	VDD-1.62V (RL = 50ohms to VDD-2VDC : LVPECL)
	symmetry	55/45 @ VDD-1.3V (PECL)
	rise / fall time	0.6ns typ. / 1.5ns max ( 20% to 80% of output waveform )
phase noise	@10 Hz	-75	-65	offset from carrier
	@100 Hz	-95	-95
	@1 KHz	-125	-120
	@10 KHz	-140	-125
	@100 KHz	-145	-121
start up time		10 mS MAX
Tristate		enable : 0.7 V DD (min) / disable : 0.3 V DD (max)
All specifications are subject to change without notice

自動(dòng)安裝時(shí)的沖擊：
石英晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞SMD晶振產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。
每個(gè)封裝類(lèi)型的注意事項(xiàng)
陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品
在焊接陶瓷晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂（開(kāi)裂）。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。
陶瓷包裝石英晶振
在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板（環(huán)氧玻璃）上焊接陶瓷封裝石英晶振時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性。SHINSUNG晶振,SXO-P-S晶振,SXO-P-S-33ST-30HZ-26MHz晶振.

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