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更多>>- 規(guī)格型號(hào):43634547
- 頻率:0.75~160.0MHz,160.1~800.0MHz晶振
- 尺寸:7.0*5.0mm
- 產(chǎn)品描述:SHINSUNG晶振,SXO-P-S晶振,SXO-P-S-33ST-30HZ-26MHz晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶...
SHINSUNG晶振,SXO-P-S晶振,SXO-P-S-33ST-30HZ-26MHz晶振
航欄(10).jpg)
SHINSUNG晶振,SXO-P-S晶振,SXO-P-S-33ST-30HZ-26MHz晶振,小型SMD有源晶振,從最初超大體積到現(xiàn)在的7050mm,6035mm,5032mm,3225mm,2520mm體積,有著翻天覆地的改變,體積的變小也使產(chǎn)品帶來(lái)了更高的穩(wěn)定性能,接縫密封石英晶體振蕩器,精度高,覆蓋頻率范圍寬的特點(diǎn),SMD高速自動(dòng)安裝和高溫回流焊設(shè)計(jì),Optionable待機(jī)輸出三態(tài)輸出功能,電源電壓范圍:1.8V~5V,高穩(wěn)定性,低抖動(dòng),低功耗,主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域,符合RoHS/無(wú)鉛.
我們認(rèn)為我們的客戶(hù)是合作伙伴,并努力滿(mǎn)足并超越他們對(duì)質(zhì)量,客戶(hù)服務(wù)和價(jià)值的要求我們是最新的Smd或通孔型晶體單元,時(shí)鐘OSC,TCXO,VCXO,MCF等,并提供高產(chǎn)品 質(zhì)量穩(wěn)定,穩(wěn)定性高。
產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電子行業(yè),包括電信,微處理器,汽車(chē),儀器儀表和醫(yī)療應(yīng)用。
SHINSUNG晶振發(fā)展歷程:
1999成立Shinsung SAW Electronics Co.
1999年12月開(kāi)始生產(chǎn)晶體和振蕩器(osc,vcxo)
2000年1月完成高頻VCXO (100MHz以上)的開(kāi)發(fā)1999成立Shinsung SAW Electronics Co.
1999年12月開(kāi)始生產(chǎn)晶體和振蕩器(osc,vcxo)
Mar.2001開(kāi)始開(kāi)發(fā)SMD OSC和Crystal
Jul.2002開(kāi)始批量生產(chǎn)可編程振蕩器
Aug.2009完成SMD Crystal(3225尺寸)的開(kāi)發(fā)
2009年12月成SMD VCTCXO(5032尺寸)的開(kāi)發(fā),開(kāi)始批量生產(chǎn)SMD VCXO(7050,5032尺寸)
2010年1月完成SMD振蕩器(3225尺寸)的開(kāi)發(fā),開(kāi)始批量生產(chǎn)SMD水晶(3225尺寸)
2010年4月在800MHz頻段(7050,14x9.6尺寸)完成LVPECL VCXO的開(kāi)發(fā),開(kāi)始批量生產(chǎn)SMD振蕩器(3225尺寸),開(kāi)始批量生產(chǎn)SMD LVPECL振蕩器(7050尺寸)
AUG.2011開(kāi)始生產(chǎn)SMD VCTCXO(3225尺寸)
Mar.2012成立附屬研究所。
韓國(guó)新松晶振成立,主要生產(chǎn)石英晶體,石英晶體振蕩器,貼片晶振等元件.多年來(lái)一直以追求質(zhì)量,為客戶(hù)提供高品質(zhì)的SHINSUNG晶振產(chǎn)品和一流的服務(wù)為經(jīng)營(yíng)理念.SHINSUNG晶振,SXO-P-S晶振,SXO-P-S-33ST-30HZ-26MHz晶振.

| frequency range | 0.75 ~ 160.0MHz | 160.1 ~ 800.0MHz | REMARK | |
| frequency stability | ± 20ppm ~ ± 100ppm ( overall ) | |||
| supply voltage V DD | 3.3V ± 5% | |||
| input current | 100 mA max | |||
| operating temperature | STD. -10℃ ~ 70℃ / Option : -40℃ ~ 90℃ | |||
| storage temperature | -55℃ ~ 125℃ | |||
| aging | ±3.0ppm max at +25℃ ±3℃ for first year | |||
| intergrate jitter RMS | 1.0ps RMS (max) | 2.5ps RMS (max) | Intergrated 12KHz to 20MHz | |
| output | high level | VDD-1.025V (RL = 50ohms to VDD-2VDC : LVPECL) | ||
| low level | VDD-1.62V (RL = 50ohms to VDD-2VDC : LVPECL) | |||
| symmetry | 55/45 @ VDD-1.3V (PECL) | |||
| rise / fall time | 0.6ns typ. / 1.5ns max ( 20% to 80% of output waveform ) | |||
| phase noise | @10 Hz | -75 | -65 | offset from carrier |
| @100 Hz | -95 | -95 | ||
| @1 KHz | -125 | -120 | ||
| @10 KHz | -140 | -125 | ||
| @100 KHz | -145 | -121 | ||
| start up time | 10 mS MAX | |||
| Tristate | enable : 0.7 V DD (min) / disable : 0.3 V DD (max) | |||
| All specifications are subject to change without notice | ||||
自動(dòng)安裝時(shí)的沖擊:石英晶振自動(dòng)安裝和真空化引發(fā)的沖擊會(huì)破壞SMD晶振產(chǎn)品特性并影響這些產(chǎn)品。請(qǐng)?jiān)O(shè)置安裝條件以盡可能將沖擊降至最低,并確保在安裝前未對(duì)晶振特性產(chǎn)生影響。條件改變時(shí),請(qǐng)重新檢查安裝條件。同時(shí),在安裝前后,請(qǐng)確保石英晶振產(chǎn)品未撞擊機(jī)器或其他電路板等。
每個(gè)封裝類(lèi)型的注意事項(xiàng)
陶瓷包裝晶振與SON產(chǎn)品
在焊接陶瓷晶振和SON產(chǎn)品 (陶瓷包裝是指晶振外觀采用陶瓷制品) 之后,彎曲電路板會(huì)因機(jī)械應(yīng)力而導(dǎo)致焊接部分剝落或封裝分裂(開(kāi)裂)。尤其在焊接這些產(chǎn)品之后進(jìn)行電路板切割時(shí),務(wù)必確保在應(yīng)力較小的位置布局晶體并采用應(yīng)力更小的切割方法。
陶瓷包裝石英晶振
在一個(gè)不同擴(kuò)張系數(shù)電路板(環(huán)氧玻璃)上焊接陶瓷封裝石英晶振時(shí),在溫度長(zhǎng)時(shí)間重復(fù)變化時(shí)可能導(dǎo)致端子焊接部分發(fā)生斷裂,請(qǐng)事先檢查焊接特性。SHINSUNG晶振,SXO-P-S晶振,SXO-P-S-33ST-30HZ-26MHz晶振.

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