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    Bliley晶振,BOCSE晶振,BOCSE-26.000MEB-ACETP晶振

  • 規(guī)格型號(hào):9493660
  • 頻率:1.5~170MHZ
  • 尺寸:2.5*2.0mm
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  • 產(chǎn)品描述:Bliley晶振,BOCSE晶振,BOCSE-26.000MEB-ACETP晶振,有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15A以下,...
    Bliley晶振,BOCSE晶振,BOCSE-26.000MEB-ACETP晶振,有源晶振,是指晶體本身起振需要外部電壓供應(yīng),起振后可直接驅(qū)動(dòng)CMOS集成電路,產(chǎn)品本身已實(shí)現(xiàn)與薄型IC(TSSOP封裝,TVSOP封裝)同樣的1mm厚度,斷開時(shí)的消費(fèi)電流是15µA以下,編帶包裝方式可對(duì)應(yīng)自動(dòng)搭載及IR回流焊接(無鉛對(duì)應(yīng))產(chǎn)品有幾種電壓供選1.8V,2.5V,3V3.3V,5V,以應(yīng)對(duì)不同IC產(chǎn)品需要.
   Bliley晶振公司發(fā)展歷史:
   1950年-1960年:在這幾十年中,我們進(jìn)入了許多其他市場(chǎng),包括晶體振蕩器、溫度補(bǔ)償晶體振蕩器 (TCXO)、空間晶體和晶體爐。我們發(fā)現(xiàn)我們的產(chǎn)品現(xiàn)在被用于所有電子領(lǐng)域。1960 年,JHU/APL 使用的 BG73A @ 3MHz 被放置在 TRANSIT 2A 海軍導(dǎo)航衛(wèi)星的軌道上。
   1970年-1980年:我們針對(duì)的是規(guī)模較大的商業(yè)業(yè)務(wù),需要對(duì)設(shè)備和人員進(jìn)行大量投資。自動(dòng)化、計(jì)算機(jī)化的測(cè)試系統(tǒng)走在最前沿,促進(jìn)了我們的發(fā)展。在 1980 年代初期,我們開始生產(chǎn) SC 切割晶體。
   1990年-2000年:在這段時(shí)期,我們?yōu)樘岣呶覀冎谱鲝?fù)雜和領(lǐng)先的晶體振蕩器設(shè)計(jì)的能力奠定了基礎(chǔ)。這在內(nèi)部得到了最好的雙旋轉(zhuǎn)晶體技術(shù)的支持,并將繼續(xù)得到支持。2001 年,更名為 Bliley Technologies Inc.,以反映公司提供的產(chǎn)品和服務(wù)日益多樣化。
   2000年之后:今天,我們?cè)谥圃斓驮肼曨l率控制產(chǎn)品方面處于世界領(lǐng)先地位。我們不斷發(fā)現(xiàn)自己正在努力實(shí)現(xiàn)重大改進(jìn),以滿足客戶不斷變化的需求。更嚴(yán)格的穩(wěn)定性、更低的相位噪聲和加速度靈敏度以及封裝尺寸的減小推動(dòng)了我們開發(fā)各種新技術(shù)。我們相信,我們已做好充分準(zhǔn)備迎接挑戰(zhàn),并像我們 80 多年來所做的那樣取得卓越成就。
   Bliley晶振公司總部位于的占地64,000平方英尺的制造工廠的伊利賓夕法尼亞州,是目前美國僅有的一家專注生產(chǎn)百利TCXO振蕩器,石英晶體,有源晶振的公司之一.Bliley晶振,BOCSE晶振,BOCSE-26.000MEB-ACETP晶振.
Parameter Conditions Values  Unit
General    MIN  TYP MAX  
Frequency Range   1.5   170 MHz
Frequency Range Fundamental
3 rd Overtone(Non-PLL)
1.5
50
  60
170
MHz
Frequency vs Temperature See Options (Max)
Referenced to +25?C
±25, ±50, ±100   ppm
Perturbation       ±3 ppm
Age Stability 1 st Year    ±3 ppm
5 Years      ±5 ppm
Supply Voltage (Vdd) Option B 1.62 1.8 1.98 Vdc
Option D 2.97 3.3 3.63 Vdc
Option G 2.25 2.5 2.75 Vdc
Current Consumption 1.5 – 19MHz      6 mA
  20 – 39MHz     7 mA
  40 – 60MHz      8 mA
  60 – 100MHz      10 mA
Output Control Enabled-High
Disabled-Low
       
Start-up Time       5 mSec

     耐焊性:
      將晶振加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害產(chǎn)品.如需在+150°C以上焊接石英晶振,建議使用SMD晶振產(chǎn)品.在下列回流條件下,對(duì)石英晶振產(chǎn)品甚至SMD貼片晶振使用更高溫度,會(huì)破壞晶振特性.建議使用下列配置情況的回流條件.安裝這些貼片晶振之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間.同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查.如果需要焊接的晶振產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息.
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致石英晶振所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑.(比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶振的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能.)
機(jī)械振動(dòng)的影響
當(dāng)晶振產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響.這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響.盡管晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作. 
熱影響
重復(fù)的溫度巨大變化可能會(huì)降低受損害的石英晶振產(chǎn)品特性,并導(dǎo)致塑料封裝里的線路擊穿.必須避免這種情況.
安裝方向
振蕩器的不正確安裝會(huì)導(dǎo)致故障以及崩潰,因此安裝時(shí),請(qǐng)檢查安裝方向是否正確.
通電
不建議從中間電位和/或極快速通電,否則會(huì)導(dǎo)致無法產(chǎn)生振蕩和/或非正常工作.
負(fù)載電容
有源晶振振蕩電路中負(fù)載電容的不同,可能導(dǎo)致振蕩頻率與設(shè)計(jì)頻率之間產(chǎn)生偏差.試圖通過強(qiáng)力調(diào)整,可能只會(huì)導(dǎo)致不正常的振蕩.在使用之前,請(qǐng)指明該振動(dòng)電路的負(fù)載電容(請(qǐng)參閱“負(fù)載電容”章節(jié)內(nèi)容).Bliley晶振,BOCSE晶振,BOCSE-26.000MEB-ACETP晶振.

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